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Vishay 推出一款采用透明无色引线型塑料封装的新型 890 nm 高速红外 ( IR ) 发光二极管，扩充其光电子产品组合。Vishay Semiconducto TSHF5211 基于表面发射器芯片技术，优异的 VF 温度系数达 -1.0 mV/K，辐照强度和升降时间优于前代器件。新型 890 nm 高速红外 (IR) 发光二极管• 高速器件采用表面发射器芯片技术 • 优异的 VF 温度...
Vishay 推出五款采用改良设计的 INT-A-PAK 封装新型半桥 IGBT 功率模块。新型器件由 VS-GT100TS065S、VS-GT150TS065S、VS-GT200TS065S、VS-GT100TS065N 和 VS-GT200TS065N 组成，采用 Vishay 的 Trench IGBT 技术制造，为设计人员提供两种业内先进的技术选件—低 VCE(ON) 或低 Eoff...
2024年，新质生产力是国内社会经济的"第一热词"。对于工业物联网应用来说，协同效率是提升新质生产力的重点。01 工业通信领域的无线技术为什么越来越重要？工业无线技术是目前工业通信领域的三大主流技术之一。相比有线网络，无线网络具有移动性，没有通信线缆的限制，通信终端可以在通信区域内自由移动或随意布置；组网快速灵活，覆盖面积广，扩展能力强，可以组成多种拓扑结构，十分容易扩展节点。工业物联网的无线通信...
利用集成负偏压来关断栅极驱动在设计电动汽车、不间断电源、工业驱动器和泵等高功率应用时，系统工程师更倾向于选择碳化硅 (SiC) MOSFET，因为与 IGBT 相比，SiC 技术具有更高的效率和功率密度。为了保持整体系统高能效并减少功率损耗，为 SiC MOSFET 搭配合适的 SiC 栅极驱动器可谓至关重要。 本文将阐述系统能效的重要性，并简要说明 SiC 栅极驱动器的选择标准，包括 SiC ...
近日，智能电源和智能感知技术的领先企业安森美(oemi，美国纳斯达克股票代号：ON)，最新发布第 7代1200V QDual3 绝缘栅双极晶体管(IGBT)功率模块，与其他同类产品相比，该模块的功率密度更高，且提供高10%的输出功率。该800安培(A) QDual3 模块基于新的场截止第7代(FS7) IGBT 技术，带来业界领先的能效表现，有助于降低系统成本并简化设计。应用于150千瓦的逆变器...
工业4.0趋势强劲，工厂自动化议题备受关注，而始终在工厂自动化扮演重要设备的马达(Motor)，有研究机构显示其消耗的电力约为全球电力供应的50%。随着半导体及马达驱动技术的进步，如何提升马达运转效率降低能源损耗是一项重要的课题。 安森美 (oemi) 新一代IPM (Intelligent Power Module) NFAM5065L4B 模块，整合旗下DC-DC Convert , Aux...
LED已经成为众多电子产品中成为信息指示的关键组件。随着LED显示的持续进步，其展现的视觉效果也日趋丰富。人们对于电子产品的视觉体验要求越来越高，不再是简单的指示灯或数码管效果。如今，更受消费者欢迎的是呼吸效果显示或全彩显示。为满足这一市场需求，中微爱芯紧跟行业潮流，推出恒流LED驱动芯片。 与传统非恒流LED驱动芯片相比，恒流LED驱动芯片优势明显。在额定工作电压范围内，LED亮度...
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