品牌：ON安森美
封装：TO-3P
类别：IGBT管/模块
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | - | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 1.2kV | |
| 集电极电流(Ic) | 50A | |
| 功率(Pd) | 312W | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)@Ic) | - | |
| 输入电容(Cies@Vce) | - | |
| 导通损耗(Eon) | 4.1mJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 0.96mJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 350ns | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
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